В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
GeneSiC Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Bulk,
Part Status: Active,
FET Type: -,
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor),
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): -,
Vgs(th) (Max) @ Id: -,
Vgs (Max): -,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 35V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 47W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415 mOhm @ 4A,
Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-257,
Package / Case: TO-257-3
Описание 2N7635-GA
TRANS SJT 650V 4A TO-257 - 650V 4A (Tc) (165°C) 47W (Tc) Through Hole TO-257
Транзисторы полевые 2N7635-GA
Наличие
Техническая спецификация
GeneSiC Semiconductor |
Manufacturer: GeneSiC Semiconductor, Series: -, Packaging: Bulk, Part Status: Active, FET Type: -, Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): -, Vgs(th) (Max) @ Id: -, Vgs (Max): -, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 35V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 47W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415 mOhm @ 4A, Operating Temperature: -55°C ~ 225°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-257, Package / Case: TO-257-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров