В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
IXYS
Техническая спецификация
—
Manufacturer: IXYS,
Series: -,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor),
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161nC @ 20V,
Vgs (Max): +20V, -5V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790pF @ 1000V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): -,
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V,
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Chassis Mount,
Supplier Device Package: SOT-227B,
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Описание IXFN70N120SK
MOSFET N-CH - N-Channel 1200V 68A (Tc)Chassis Mount SOT-227B
Транзисторы полевые IXFN70N120SK
Наличие
Техническая спецификация
IXYS |
Manufacturer: IXYS, Series: -, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161nC @ 20V, Vgs (Max): +20V, -5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790pF @ 1000V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): -, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Chassis Mount, Supplier Device Package: SOT-227B, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров