В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Microsemi Corporation
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Microsemi Corporation,
Series: POWER MOS 7®,
Packaging: Tube,
Part Status: Not For New Designs,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V,
Vgs (Max): ±30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8930pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 893W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 36.5A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: 264 MAX™ [L2],
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Описание APT60M75L2LLG
MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX - N-Channel 600V 73A (Tc) 893W (Tc) Through Hole 264 MAX™ [L2]
Транзисторы полевые APT60M75L2LLG
Наличие
Техническая спецификация
Microsemi Corporation |
Manufacturer: Microsemi Corporation, Series: POWER MOS 7®, Packaging: Tube, Part Status: Not For New Designs, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8930pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 893W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 36.5A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: 264 MAX™ [L2], Package / Case: TO-264-3, TO-264AA |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров