В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
IXYS
Техническая спецификация
—
Manufacturer: IXYS,
Series: HiPerFET™,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 434nC @ 10V,
Vgs (Max): ±30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27000pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1170W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 85A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Chassis Mount,
Supplier Device Package: SOT-227B,
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Описание IXFN170N65X2
MOSFET N-CH - N-Channel 650V 170A (Tc) 1170W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Транзисторы полевые IXFN170N65X2
Наличие
Техническая спецификация
IXYS |
Manufacturer: IXYS, Series: HiPerFET™, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 434nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27000pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1170W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 85A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Chassis Mount, Supplier Device Package: SOT-227B, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров