Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
- Производитель: IXYS Corporation
- Модель: IXFN27N80
- Тип компонента: N-канальный силовой MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток: восемьсот вольт
- Непрерывный ток стока: двадцать семь ампер при температуре корпуса
- Максимальное напряжение затвор-исток: плюс минус двадцать вольт
- Максимальное сопротивление в открытом состоянии: три десятых ома
- Максимальная мощность рассеяния: пятьсот двадцать ватт при оптимальном охлаждении
- Температурный диапазон перехода: от минус пятьдесят пяти до сто пятидесяти градусов Цельсия
- Диапазон рабочих температур корпуса: от минус пятьдесят пяти до сто пятидесяти градусов Цельсия
- Корпус: SOT-227B с четырьмя выводами
- Внутренний диод: да
- Ток затвора управления: стандартный для силовых MOSFET
Описание Транзистор IXFN27N80
IXFN27N80 это мощный N-канальный полевой транзистор MOSFET с повышенным допуском по напряжению и силовым характеристикам, разработанный компанией IXYS Corporation и распространяемый также под брендом Littelfuse. Этот компонент предназначен для управления высокими токами и напряжениями в силовых цепях, обеспечивая надёжное переключение и эффективное управление энергией в промышленных и силовых приложениях. Благодаря напряжению пробоя до 800 вольт и возможности пропускать непрерывный ток до двадцати семи ампер он подходит для использования в условиях, где требуется высокая устойчивость к нагрузкам и долговечность работы.
Транзистор выполнен в крупногабаритном корпусе SOT-227B с изолированной базой, что облегчает его монтаж на радиаторы и корпуса промышленных систем. Конструкция с низкой сопротивляемостью открытого состояния снижает потери мощности и повышает эффективность работы схем при высокой частоте коммутаций. Высокая допустимая мощность рассеяния позволяет эффективно работать в условиях больших тепловых нагрузок, а встроенный внутренний диод обеспечивает возврат тока в индуктивных нагрузках, что делает компонент удобным для использования в приложениях с индуктивными элементами.
IXFN27N80 отлично подходит для применения в преобразователях питания, инверторах, источниках бесперебойного питания, зарядных устройствах и схемах управления двигателями. Его высокая рабочая температура и прочная конструкция делают его надёжным выбором для оборудования, где важны стабильность, эффективность и длительный срок службы. Этот MOSFET остаётся востребованным решением для проектировщиков силовой электроники, которые ищут проверенный компонент с высокими рабочими характеристиками.
Область применения
- преобразователи питания и стабилизаторы
- инверторы и силовые драйверы
- источники бесперебойного питания
- зарядные устройства и DC-DC конвертеры
- силовые цепи управления двигателями
Техническая спецификация
|

