В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
IXYS
Техническая спецификация
—
Manufacturer: IXYS,
Series: GigaMOS™, TrenchT2™,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 465A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 600W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 100A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: DE475,
Package / Case: DE475
Описание IXFZ520N075T2
MOSFET N-CH 75V 465A DE-475 - N-Channel 75V 465A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount DE475
Транзисторы полевые IXFZ520N075T2
Наличие
Техническая спецификация
IXYS |
Manufacturer: IXYS, Series: GigaMOS™, TrenchT2™, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 465A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 100A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: DE475, Package / Case: DE475 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров