В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Microsemi Corporation
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Microsemi Corporation,
Series: CoolMOS™,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.8mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 580nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13940pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 833W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 47A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2],
Package / Case: TO-247-3 Variant
Описание APT94N65B2C3G
MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 - N-Channel 650V 94A (Tc) 833W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Транзисторы полевые APT94N65B2C3G
Наличие
Техническая спецификация
Microsemi Corporation |
Manufacturer: Microsemi Corporation, Series: CoolMOS™, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.8mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 580nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13940pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 833W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 47A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: T-MAX™ [B2], Package / Case: TO-247-3 Variant |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров