В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Microsemi Corporation
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Microsemi Corporation,
Series: -,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V,
Vgs (Max): ±30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9670pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1135W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 14A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: T-MAX™,
Package / Case: TO-247-3 Variant
Описание APT26F120B2
MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX - N-Channel 1200V 27A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™
Транзисторы полевые APT26F120B2
Наличие
Техническая спецификация
Microsemi Corporation |
Manufacturer: Microsemi Corporation, Series: -, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9670pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1135W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 14A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: T-MAX™, Package / Case: TO-247-3 Variant |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров