В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Microsemi Corporation
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Microsemi Corporation,
Series: POWER MOS V®,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 435nC @ 10V,
Vgs (Max): ±30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 520W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 500mA, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-264 [L],
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Описание APT20M22LVRG
MOSFET N-CH 200V 100A TO-264 - N-Channel 200V 100A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Транзисторы полевые APT20M22LVRG
Наличие
Техническая спецификация
Microsemi Corporation |
Manufacturer: Microsemi Corporation, Series: POWER MOS V®, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 435nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 500mA, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-264 [L], Package / Case: TO-264-3, TO-264AA |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров