В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
IXYS
Техническая спецификация
—
Manufacturer: IXYS,
Series: HiPerFET™,
Packaging: Tube,
Part Status: Last Time Buy,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 310W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 13A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: ISOPLUS247™,
Package / Case: ISOPLUS247™
Описание IXFR26N60Q
MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247 - N-Channel 600V 23A (Tc) 310W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Транзисторы полевые IXFR26N60Q
Наличие
Техническая спецификация
IXYS |
Manufacturer: IXYS, Series: HiPerFET™, Packaging: Tube, Part Status: Last Time Buy, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 13A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Package / Case: ISOPLUS247™ |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров