В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
IXYS
Техническая спецификация
—
Manufacturer: IXYS,
Series: -,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V,
Vgs(th) (Max) @ Id: -,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 5V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650pF @ 10V,
FET Feature: Depletion Mode,
Power Dissipation (Max): 568W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 1A, 0V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH),
Package / Case: TO-247-3
Описание IXTH2N170D2
MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247 - N-Channel 1700V 2A (Tj) 568W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Транзисторы полевые IXTH2N170D2
Наличие
Техническая спецификация
IXYS |
Manufacturer: IXYS, Series: -, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs(th) (Max) @ Id: -, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 5V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650pF @ 10V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 568W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 1A, 0V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Package / Case: TO-247-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров