В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Microsemi Corporation
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Microsemi Corporation,
Series: POWER MOS 8™,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V,
Vgs (Max): ±30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4595pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 625W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 12A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: D3Pak,
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Описание APT22F80S
MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK - N-Channel 800V 23A (Tc) 625W (Tc) Surface Mount D3Pak
Транзисторы полевые APT22F80S
Наличие
Техническая спецификация
Microsemi Corporation |
Manufacturer: Microsemi Corporation, Series: POWER MOS 8™, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4595pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 12A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: D3Pak, Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров