В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
IXYS
Техническая спецификация
—
Manufacturer: IXYS,
Series: Linear L2™,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 8.5V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 20V,
Vgs (Max): ±30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 290W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 1A, 20V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-247,
Package / Case: TO-247-3
Описание IXTH2N150L
MOSFET N-CH 1500V 2A TO-247 - N-Channel 1500V 2A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247
Транзисторы полевые IXTH2N150L
Наличие
Техническая спецификация
IXYS |
Manufacturer: IXYS, Series: Linear L2™, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 8.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 20V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 290W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 1A, 20V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-247, Package / Case: TO-247-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров