В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
EPC
Техническая спецификация
—
Manufacturer: EPC,
Series: eGaN®,
Packaging: Tray,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: GaNFET (Gallium Nitride),
Drain to Source Voltage (Vdss): 300V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.85nC @ 5V,
Vgs (Max): +6V, -4V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 194pF @ 240V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): -,
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 3A, 5V,
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: Die Outline (12-Solder Bar),
Package / Case: Die
Описание EPC2025ENGR
TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE - N-Channel 300V 4A (Ta)Surface Mount Die Outline (12-Solder Bar)
Транзисторы полевые EPC2025ENGR
Наличие
Техническая спецификация
EPC |
Manufacturer: EPC, Series: eGaN®, Packaging: Tray, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Drain to Source Voltage (Vdss): 300V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.85nC @ 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 194pF @ 240V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): -, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 3A, 5V, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: Die Outline (12-Solder Bar), Package / Case: Die |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров