В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
IXYS
Техническая спецификация
—
Manufacturer: IXYS,
Series: HiPerFET™, TrenchT2™,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 350W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 38A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-247,
Package / Case: TO-247-3
Описание IXFH76N15T2
MOSFET N-CH - N-Channel 150V 76A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-247
Транзисторы полевые IXFH76N15T2
Наличие
Техническая спецификация
IXYS |
Manufacturer: IXYS, Series: HiPerFET™, TrenchT2™, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 350W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 38A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-247, Package / Case: TO-247-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров