В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: CoolMOS™,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240pF @ 100V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 12.7A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack,
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Описание IPA65R110CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220 - N-Channel 650V 31.2A (Tc) 34.7W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Транзисторы полевые IPA65R110CFDXKSA1
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: CoolMOS™, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240pF @ 100V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 12.7A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack, Package / Case: TO-220-3 Full Pack |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров