В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: HEXFET®,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc),
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91nC @ 10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 25V,
FET Feature: -,
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 26A, 10V,
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-262,
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Описание IRFSL38N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 43A TO-262-3 - N-Channel 200V 43A (Tc)Through Hole TO-262
Транзисторы полевые IRFSL38N20DPBF
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: HEXFET®, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91nC @ 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 25V, FET Feature: -, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 26A, 10V, Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-262, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров