В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: OptiMOS™-5,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264pF @ 40V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 230W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 100A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1,
Package / Case: 8-PowerSFN
Описание IAUT240N08S5N019ATMA1
MOSFET N-CH 75V 8HSOF - N-Channel 80V 240A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Транзисторы полевые IAUT240N08S5N019ATMA1
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: OptiMOS™-5, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 160µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9264pF @ 40V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 100A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1, Package / Case: 8-PowerSFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров