В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 100V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 151W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 7.3A, 10V,
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: PG-TO263,
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Описание IPB65R190CFDAATMA1
MOSFET N-CH TO263-3 - N-Channel 650V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263
Транзисторы полевые IPB65R190CFDAATMA1
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 100V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 151W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 7.3A, 10V, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PG-TO263, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров