В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: SuperFET® III,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.4mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V,
Vgs (Max): ±30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 400V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 98W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199 mOhm @ 7A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263),
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Описание FCB199N65S3
MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK - N-Channel 650V 14A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Транзисторы полевые FCB199N65S3
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: SuperFET® III, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.4mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 400V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 98W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199 mOhm @ 7A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров