В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Alpha & Omega Semiconductor Inc.,
Series: aMOS™,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4nC @ 10V,
Vgs (Max): ±30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1278pF @ 100V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 357W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 12.5A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-262,
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Описание AOW25S65
MOSFET N-CH 650V 25A TO262 - N-Channel 650V 25A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-262
Транзисторы полевые AOW25S65
Наличие
Техническая спецификация
Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Manufacturer: Alpha & Omega Semiconductor Inc., Series: aMOS™, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1278pF @ 100V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 357W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 12.5A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-262, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров