В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 300W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87 mOhm @ 100A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3,
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Описание IPB240N04S4R9ATMA1
MOSFET N-CH TO263-7 - N-Channel 40V 240A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Транзисторы полевые IPB240N04S4R9ATMA1
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87 mOhm @ 100A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PG-TO263-7-3, Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров