В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: OptiMOS™,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA,
Vgs (Max): -,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): -,
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 10V,
Operating Temperature: -,
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: Sawn on foil,
Package / Case: Die
Описание IPC218N04N3X1SA1
MOSFET N-CH 40V 2A SAWN ON FOIL - N-Channel 40V 2A (Tj)Surface Mount Sawn on foil
Транзисторы полевые IPC218N04N3X1SA1
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: OptiMOS™, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA, Vgs (Max): -, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): -, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 10V, Operating Temperature: -, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: Sawn on foil, Package / Case: Die |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров