В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta),
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81nC @ 10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 30A, 10V,
Operating Temperature: -,
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: D2PAK,
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Описание NVB60N06T4G
MOSFET N-CH 60V D2PAK - N-Channel 60V 60A (Ta) 2.4W (Ta), 150W (Tj) Surface Mount D2PAK
Транзисторы полевые NVB60N06T4G
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: -, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81nC @ 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 30A, 10V, Operating Temperature: -, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: D2PAK, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров