В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7710pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 176W (Tj),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 80A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263),
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Описание FDB9406-F085
MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB - N-Channel 40V 110A (Tc) 176W (Tj) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Транзисторы полевые FDB9406-F085
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7710pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 176W (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 80A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров