В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Toshiba Semiconductor and Storage
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage,
Series: -,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A,
Vgs(th) (Max) @ Id: -,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 128W,
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,
Operating Temperature: -,
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-220-3,
Package / Case: TO-220-3
Описание TK60E08K3,S1X(S
MOSFET N-CH 75V 60A TO-220AB - N-Channel 75V 60A 128W Through Hole TO-220-3
Транзисторы полевые TK60E08K3,S1X(S
Наличие
Техническая спецификация
Toshiba Semiconductor and Storage |
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage, Series: -, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 75V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A, Vgs(th) (Max) @ Id: -, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 128W, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V, Operating Temperature: -, Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-220-3, Package / Case: TO-220-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров