В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Toshiba Semiconductor and Storage
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage,
Series: U-MOSVIII-H,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 375W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 80A, 10V,
Operating Temperature: 175°C,
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: TO-220SM(W),
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Описание TK160F10N1L,LQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR - N-Channel 100V 160A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
Транзисторы полевые TK160F10N1L,LQ
Наличие
Техническая спецификация
Toshiba Semiconductor and Storage |
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage, Series: U-MOSVIII-H, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 80A, 10V, Operating Temperature: 175°C, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: TO-220SM(W), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров