В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 65A (Tc),
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5nC @ 10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 15V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): -,
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 30A, 10V,
Operating Temperature: -,
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL),
Package / Case: 8-PowerTDFN
Описание NTMFS4965NFT1G
MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL - N-Channel 30V 17.5A (Ta), 65A (Tc)Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Транзисторы полевые NTMFS4965NFT1G
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: -, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 65A (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5nC @ 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 15V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): -, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 30A, 10V, Operating Temperature: -, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Package / Case: 8-PowerTDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров