В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: OptiMOS™,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520pF @ 20V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 50A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL,
Package / Case: 8-PowerTDFN
Описание BSC010N04LSTATMA1
DIFFERENTIATED MOSFETS - N-Channel 40V 39A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Транзисторы полевые BSC010N04LSTATMA1
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: OptiMOS™, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9520pF @ 20V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 50A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL, Package / Case: 8-PowerTDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров