В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: HEXFET®, StrongIRFET™,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210pF @ 15V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 57W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 21A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: D2PAK,
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Описание IRF3707ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 30V 59A - N-Channel 30V 59A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount D2PAK
Транзисторы полевые IRF3707ZSTRLPBF
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: HEXFET®, StrongIRFET™, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210pF @ 15V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 57W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 21A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: D2PAK, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров