В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Microchip Technology
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Microchip Technology,
Series: -,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 3A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-92-3,
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Описание VN3205N3-G-P002
MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3 - N-Channel 50V 1.2A (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Транзисторы полевые VN3205N3-G-P002
Наличие
Техническая спецификация
Microchip Technology |
Manufacturer: Microchip Technology, Series: -, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 3A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-92-3, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров