В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Texas Instruments
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Texas Instruments,
Series: -,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 15V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.25nC @ 10V,
Vgs (Max): +2V, -15V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 791mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 10V,
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 8-SOIC,
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Описание TPS1101DRG4
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC - P-Channel 15V 2.3A (Ta) 791mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Транзисторы полевые TPS1101DRG4
Наличие
Техническая спецификация
Texas Instruments |
Manufacturer: Texas Instruments, Series: -, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.25nC @ 10V, Vgs (Max): +2V, -15V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 791mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 10V, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-SOIC, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров