В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: PowerTrench®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150pF @ 40V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 57W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 21A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33,
Package / Case: 8-PowerWDFN
Описание FDMC008N08C
MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN - N-Channel 80V 60A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Транзисторы полевые FDMC008N08C
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: PowerTrench®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150pF @ 40V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 57W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 21A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33, Package / Case: 8-PowerWDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров