В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Nexperia USA Inc.
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Nexperia USA Inc.,
Series: -,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3181pF @ 50V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 183W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 25A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-220AB,
Package / Case: TO-220-3
Описание PSMN8R5-100PSFQ
MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB - N-Channel 100V 98A (Ta) 183W (Ta) Through Hole TO-220AB
Транзисторы полевые PSMN8R5-100PSFQ
Наличие
Техническая спецификация
Nexperia USA Inc. |
Manufacturer: Nexperia USA Inc., Series: -, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3181pF @ 50V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 183W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 25A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-220AB, Package / Case: TO-220-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров