В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Diodes Incorporated
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Diodes Incorporated,
Series: -,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 700V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc),
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351pF @ 50V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 41W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-251,
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Описание DMJ70H1D3SJ3
MOSFET N-CH TO251 - N-Channel 700V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
Транзисторы полевые DMJ70H1D3SJ3
Наличие
Техническая спецификация
Diodes Incorporated |
Manufacturer: Diodes Incorporated, Series: -, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 700V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351pF @ 50V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 41W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-251, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров