В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 153W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 50A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak),
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Описание FDD8444-F085P
NMOS DPAK 40V 5.2 MOHM - N-Channel 40V 50A (Ta) 153W (Ta) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Транзисторы полевые FDD8444-F085P
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 153W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 50A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров