В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Alpha & Omega Semiconductor Inc.,
Series: SDMOS™,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 60A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V,
Vgs (Max): ±25V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220pF @ 50V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 150W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 20A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-220,
Package / Case: TO-220-3
Описание AOT412
MOSFET N-CH 100V 60A TO-220 - N-Channel 100V 8.2A (Ta), 60A (Tc) 2.6W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-220
Транзисторы полевые AOT412
Наличие
Техническая спецификация
Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Manufacturer: Alpha & Omega Semiconductor Inc., Series: SDMOS™, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 60A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V, Vgs (Max): ±25V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220pF @ 50V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 150W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 20A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-220, Package / Case: TO-220-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров