В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 125W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1 mOhm @ 70A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11,
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Описание IPD70N12S311ATMA1
MOSFET N-CH 120V 70A TO252-3 - N-Channel 120V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Транзисторы полевые IPD70N12S311ATMA1
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 120V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1 mOhm @ 70A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров