В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Rohm Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Rohm Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293pF @ 20V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 18A, 10V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 8-HSOP,
Package / Case: 8-PowerTDFN
Описание RS1G180MNTB
MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP - N-Channel 40V 18A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Транзисторы полевые RS1G180MNTB
Наличие
Техническая спецификация
Rohm Semiconductor |
Manufacturer: Rohm Semiconductor, Series: -, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293pF @ 20V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 18A, 10V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-HSOP, Package / Case: 8-PowerTDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров