В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: -,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 20V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 50W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5 mOhm @ 18A, 10V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: ATPAK,
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Описание ATP113-TL-H
MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK - P-Channel 60V 35A (Ta) 50W (Tc) Surface Mount ATPAK
Транзисторы полевые ATP113-TL-H
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: -, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: -, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 20V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5 mOhm @ 18A, 10V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: ATPAK, Package / Case: ATPAK (2 leads+tab) |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров