В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Toshiba Semiconductor and Storage
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage,
Series: -,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V,
Vgs (Max): ±30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 80W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: D-Pak,
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Описание TK5P50D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK-3 - N-Channel 500V 5A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount D-Pak
Транзисторы полевые TK5P50D(T6RSS-Q)
Наличие
Техническая спецификация
Toshiba Semiconductor and Storage |
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage, Series: -, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: D-Pak, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров