В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: -,
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 25A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL),
Package / Case: 8-PowerTDFN
Описание NVMFS5C673NLWFT1G
MOSFET N-CH 60V SO8FL - N-Channel 60V3.6W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Транзисторы полевые NVMFS5C673NLWFT1G
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: -, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: -, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 25A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Package / Case: 8-PowerTDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров