В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Renesas Electronics America
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Renesas Electronics America,
Series: -,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc),
Vgs(th) (Max) @ Id: -,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 52W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 27A, 10V,
Operating Temperature: -,
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 8-HVSON (3x3.3),
Package / Case: 8-PowerVDFN
Описание UPA2813T1L-E1-AT
MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON - P-Channel 30V 27A (Tc) 1.5W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (3x3.3)
Транзисторы полевые UPA2813T1L-E1-AT
Наличие
Техническая спецификация
Renesas Electronics America |
Manufacturer: Renesas Electronics America, Series: -, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: -, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 52W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 27A, 10V, Operating Temperature: -, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-HVSON (3x3.3), Package / Case: 8-PowerVDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров