В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Renesas Electronics America
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Renesas Electronics America,
Series: -,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: -,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 16.5W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 24A, 10V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Package / Case: 8-PowerWDFN
Описание UPA2825T1S-E2-AT
MOSFET N-CH 30V 8HVSON - N-Channel 30V 24A (Tc) 1.5W (Ta), 16.5W (Tc) Surface Mount
Транзисторы полевые UPA2825T1S-E2-AT
Наличие
Техническая спецификация
Renesas Electronics America |
Manufacturer: Renesas Electronics America, Series: -, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: -, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 16.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 24A, 10V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров