В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Diodes Incorporated
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Diodes Incorporated,
Series: -,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090pF @ 30V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: PowerDI3333-8,
Package / Case: 8-PowerWDFN
Описание DMT6007LFG-13
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333 - N-Channel 60V 15A (Ta), 80A (Tc) 2.2W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
Транзисторы полевые DMT6007LFG-13
Наличие
Техническая спецификация
Diodes Incorporated |
Manufacturer: Diodes Incorporated, Series: -, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090pF @ 30V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Package / Case: 8-PowerWDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров