В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 20V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 15W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.5A, 10V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: IPAK/TP,
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Описание SFT1431-W
MOSFET N-CH 35V 11A TP - N-Channel 35V 11A (Ta) 1W (Ta), 15W (Tc) Through Hole IPAK/TP
Транзисторы полевые SFT1431-W
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: -, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 35V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 20V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 15W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.5A, 10V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: IPAK/TP, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров