В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Vishay Siliconix
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Vishay Siliconix,
Series: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 8V,
Vgs (Max): ±8V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 6V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 39W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 13.5A, 4.5V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8,
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Описание SQS405EN-T1_GE3
MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212 - P-Channel 12V 16A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Транзисторы полевые SQS405EN-T1_GE3
Наличие
Техническая спецификация
Vishay Siliconix |
Manufacturer: Vishay Siliconix, Series: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 8V, Vgs (Max): ±8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 6V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 13.5A, 4.5V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Package / Case: PowerPAK® 1212-8 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров