В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Microchip Technology
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Microchip Technology,
Series: -,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V,
Vgs(th) (Max) @ Id: -,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 25V,
FET Feature: Depletion Mode,
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-92-3,
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Описание LND150N3-G-P002
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 - N-Channel 500V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Транзисторы полевые LND150N3-G-P002
Наличие
Техническая спецификация
Microchip Technology |
Manufacturer: Microchip Technology, Series: -, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs(th) (Max) @ Id: -, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 25V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 740mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-92-3, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров