В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Nexperia USA Inc.
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Nexperia USA Inc.,
Series: TrenchMOS™,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Last Time Buy,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.3A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 4.5V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 12V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 25A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 8-SO,
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Описание PHK18NQ03LT,518
MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC - N-Channel 30V 20.3A (Tc) 6.25W (Tc) Surface Mount 8-SO
Транзисторы полевые PHK18NQ03LT,518
Наличие
Техническая спецификация
Nexperia USA Inc. |
Manufacturer: Nexperia USA Inc., Series: TrenchMOS™, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Last Time Buy, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.3A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 12V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 25A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-SO, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров