В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Texas Instruments
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Texas Instruments,
Series: -,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Active,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 4.5V,
Vgs (Max): -6V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275pF @ 4V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 2A, 4.5V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 9-DSBGA (1.5x1.5),
Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA
Описание CSD22206W
8V P-CHANNEL FEMTOFET - P-Channel 8V 5A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 9-DSBGA (1.5x1.5)
Транзисторы полевые CSD22206W
Наличие
Техническая спецификация
Texas Instruments |
Manufacturer: Texas Instruments, Series: -, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 8V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 4.5V, Vgs (Max): -6V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275pF @ 4V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 2A, 4.5V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 9-DSBGA (1.5x1.5), Package / Case: 9-UFBGA, DSBGA |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров